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100% 독창적인 비용 효율적인 필름 커패시터 - IGBT 전력 전자 애플리케이션을 위한 높은 피크 전류 스너버 필름 커패시터 설계 – CRE

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100% 독창적인 비용 효율적인 필름 커패시터 - IGBT 전력 전자 애플리케이션을 위한 높은 피크 전류 스너버 필름 커패시터 설계 - CRE 세부 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위 최대 작동 온도., 최고, 최대: +105℃

상위 카테고리 온도: +85℃

하위 카테고리 온도: -40℃

용량 범위 0.1μF~5.6μF
정격전압 700V.DC~3000V.DC
캡톨 ±5%(J), ±10%(K)
내전압 1.5Un DC/10S
소산 인자 tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

절연저항

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

충격 전류를 견딜 수 있음

데이터시트 참조

난연

UL94V-0

기대 수명

100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)

참조 표준

IEC61071;GB/T17702;

사양표

전압 유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
치수(mm)
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
전압 유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
치수(mm)
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815년 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750년 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974년 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
전압 UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750년 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815년 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750년 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974년 32
전압 유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980년 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750년 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
전압 유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
전압 유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

제품 세부 사진:

100% 독창적인 비용 효율적인 필름 커패시터 - IGBT 전력 전자 애플리케이션을 위한 높은 피크 전류 스너버 필름 커패시터 설계 – CRE 상세 사진

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관련 제품 가이드:

우리가 하는 모든 일은 항상 "고객 우선, 신뢰 우선, 100% 독창적인 비용 효율적인 필름 커패시터를 위한 식품 포장 및 환경 보호에 전념 - IGBT 전력 전자 애플리케이션을 위한 높은 피크 전류 스너버 필름 커패시터 설계 - CRE"라는 신조와 연관되어 있습니다. 브리즈번, 포르토, 터키 등 전 세계에 공급할 예정이며, 당사는 국내 및 해외 시장 모두에서 우수한 제품, 우수한 서비스, 경쟁력 있는 가격 및 신속한 배송을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. 중국의 공급업체.
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    높은 생산 효율성과 우수한 제품 품질, 빠른 배송 및 완벽한 판매 후 보호, 올바른 선택, 최선의 선택입니다. 별 5개 작성자: Ricardo, Johor - 2018.12.14 15:26

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