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IGBT용 최고의 가격 맞춤형 스너버 커패시터

간단한 설명:

축방향 스너버 커패시터 SMJ-TE

스너버 커패시터는 축 단자가 있는 고전류, 고주파 커패시터입니다.축형 필름 커패시터는 CRE에서 구입할 수 있습니다.우리는 축형 필름 커패시터에 대한 재고, 가격 및 데이터시트를 제공합니다.

1. ISO9001 및 UL 인증;

2. 광범위한 재고;

 


제품 상세 정보

제품 태그

애플리케이션

IGBT 스너버
- 피크 전압, 피크 전류 흡수 보호시 전력 전자 장비에 널리 사용됩니다.

SMJ-TE图
실외형

기술 데이터

작동 온도 범위 최대작동온도,상단,최대: + 85℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃
용량 범위 0.1μF~5.6μF
정격전압

630V.DC~2000V.DC

캡톨

±5%(J) ;±10%(K)

내전압

1.5Un DC/10S

소산 인자

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

절연저항

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S에서)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S에서)

충격 전류를 견딜 수 있음

기대 수명

100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)

참조 표준

IEC 61071, IEC 61881, GB/T17702

애플리케이션

1. IGBT 스너버, GTO 스너버

2. 스너버의 기본 기능은 전원 회로의 리액턴스에서 에너지를 흡수하는 것입니다.

3. 피크 전압, 피크 전류 흡수 보호시 전력 전자 장비에 널리 사용됩니다.

외형도

그림 1

SMJ-TE 축방향 커패시터
전압 Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
전압 UN 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575년 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974년 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
전압 UN 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760년 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974년 18.2
전압 UN 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650년 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2
전압 UN 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8
전압 UN 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5
版3

자주하는 질문

Q1.필름 콘덴서 샘플을 주문할 수 있나요?
A: 그렇습니다, 우리는 질을 시험하고 검사하기 위하여 표본 순서를 환영합니다.혼합 샘플이 허용됩니다.
Q2.리드타임은 어떻습니까?
A : 샘플은 3-5 일이 필요하며 대량 생산 시간은 주문 수량 이상인 경우 1-2 주가 필요합니다.
Q3.FIM 커패시터에 대한 MOQ 제한이 있습니까?
A: 낮은 MOQ, 샘플 검사를 위한 1pc를 사용할 수 있습니다.
Q4.필름 커패시터 주문을 진행하는 방법은 무엇입니까?
A: 먼저 귀하의 요구 사항이나 응용 프로그램을 알려주십시오.
둘째, 귀하의 요구 사항이나 제안에 따라 견적을 제시합니다.
셋째, 고객은 샘플을 확인하고 정식 주문을 위해 보증금을 입금합니다.
넷째, 생산을 준비합니다.
Q5.상품을 어떻게 배송하고, 도착하는데 얼마나 걸리나요?
A: 우리는 일반적으로 DHL, UPS, FedEx 또는 TNT로 배송합니다.도착하는데 보통 3~5일 정도 소요됩니다.항공 및 해상 운송도 선택 사항입니다.
Q6.커패시터에 로고를 인쇄해도 괜찮습니까?
답: 그렇습니다.생산 전에 공식적으로 알려주시고 먼저 샘플을 기반으로 디자인을 확인하십시오.
Q7: 제품에 대한 보증을 제공합니까?
A: 그렇습니다. 우리는 우리 제품에 대해 7년 보증을 제공합니다.

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