2018 고품질 고전력 필름 커패시터 - 자가 치유 기능을 갖춘 새로 설계된 전력 전자 커패시터(DKMJ-S) – CRE

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2018 고품질 고전력 필름 커패시터 - 자가 치유 기능을 갖춘 새로 설계된 전력 전자 커패시터(DKMJ-S) – CRE 세부 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위	최대작동온도,상단,최대: + 70℃상위온도: +60℃하위온도: -40℃
용량 범위	100μF~20000μF
Un/ 정격전압 Un	600V.DC~4000V.DC
캡톨	±5%(J) ;±10%(K)
내전압	Vt-t	1.5Un DC/60S
	Vt-c	1000+2×Un/√2 （V.AC） 60S(최소 3000V.AC)
과전압	1.1Un(부하 지속 시간의 30%)
	1.15Un(30분/일)
	1.2Un(5분/일)
	1.3Un(1분/일)
	1.5Un(매회 100ms, 평생 1000회)
소산 인자	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
ESL	<150nH
난연	UL94V-0
최대 고도	2000m
	고도가 2000m 이상 5000m 이하인 경우에는 감소량 사용을 고려할 필요가 있습니다.(1000m 증가할 때마다 전압 및 전류가 10%씩 감소됩니다.)
기대 수명	100000h(Un; Θ핫스팟 ≤70 °C)
참조 표준	IEC 61071, IEC 61881;

특징

1. 금속 쉘 캡슐화, 건식 수지 주입;

2. 구리 너트/나사 리드, 쉬운 설치;

3. 대용량, 소형;

4. 자가 치유 기능을 갖춘 고전압에 대한 내성;

5. 높은 리플 전류, 높은 dv/dt 내성.

애플리케이션

1. 철도 견인;
2. PV 인버터;
3. 풍력 변환기;
4. 온갖 주파수 변환기 및 변환장치 전력 공급;
5. 순수 전기 및 하이브리드 자동차;
6. SVG, SVC 장치
7. 다른 종류의 전력 품질 관리.

8. 채굴 전력 변환기

일반적인 회로

기대 수명

외형도

전압	UN 800V.DC 미국 1200V Ur 200V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0.9	17.6
8000	340	125	350	4	32.0	180	0.72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0.95	0.7	26.4
10000	420	125	360	4	40.0	200	0.72	0.5	39.2
12000	420	235	245	4	48.0	250	0.9	0.3	49.6
20000	420	235	360	삼	60.0	300	0.6	0.3	73.6

전압	UN 1200V.DC 미국 1800V Ur 300V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0.9	17.6
3300	340	125	245	8	26.4	150	0.95	0.7	22.4
5000	420	125	300	7	35.0	180	0.8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40.0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	60.0	250	0.8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40.0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0.9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70.0	250	0.8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75.0	300	0.6	0.3	84

전압	UN 1500V.DC 미국 2250V Ur 450V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0.9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0.66	0.7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0.95	0.7	26.4
4000	420	125	430	8	32.0	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40.0	250	0.8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40.0	250	0.9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64.0	300	0.6	0.3	84

전압	UN 2000V.DC 미국 3000V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0.95	0.7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0.72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0.72	0.5	39.2
2400	420	125	430	9	21.6	200	0.66	0.6	44.8
3200	340	235	350	10	32.0	250	0.8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40.0	280	0.7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2

전압	UN 2200V.DC 미국 3300V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
2000	420	235	245	12	24	150	0.9	0.740740741	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0.8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0.7	0.535714286	58.4

전압	UN 3000V.DC 미국 4500V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
1050	420	235	245	20	21	150	0.9	0.740740741	40
1400	420	235	300	15	21	200	0.8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0.7	0.535714286	58.4

전압	UN 4000V.DC 미국 6000V Ur 1000V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
600	420	235	245	20	12	150	0.9	0.740740741	40
800	420	235	300	20	16	200	0.8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0.7	0.535714286	58.4

전압	UN 2800V.DC 미국 4200V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60

전압	UN 3200V.DC 미국 4800V Ur 900V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0.5	95

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관련 제품 가이드:

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