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대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 – CRE

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우리의 발전은 우수한 기계, 뛰어난 인재, 그리고 끊임없이 강화되는 기술력에 달려 있습니다.에너지 저장 커패시터 , 마이크로패럿 필름 커패시터 , IGBT용 스너버 커패시터저희 제품에 관심이 있으시거나 맞춤 주문에 대해 상담을 원하시면 언제든지 연락 주세요.
대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE 상세 정보:

AKMJ-MC 시리즈

이 설계는 자가 치유 기능을 갖춘 금속화 폴리프로필렌 필름을 사용하는 것을 기반으로 합니다. 또한 특수한 고분자 유전체 조성 덕분에 최대 +85℃의 온도 범위에서 높은 절연 강도를 구현할 수 있습니다.

특수한 버스바 및 연결 단자 구조 덕분에 자체 인덕턴스가 낮습니다. 전력 전자용 커패시터는 다양한 고전압 리플을 견딜 수 있어 다른 기술의 커패시터를 대체할 수 있습니다. 또한, 이러한 커패시터는 높은 동작 전류와 긴 동작 시간을 제공합니다.

콘덴서는 어떤 위치에도 장착할 수 있습니다. 자세한 전기적 및 기계적 특성은 관련 데이터시트를 참조하십시오.

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애플리케이션

  1. 산업 자동화

주파수 변환기 및 서보 시스템 등 모든 종류의 자동화 제어 분야에 적용되는 CRE는 지멘스, 후지전기, LS 등 유명 기업의 글로벌 공급업체입니다.

  1. 전원 공급 장치

무정전 전원 공급 장치, 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 전원 공급 장치, 통신 전원 공급 장치, 용접기 전원 공급 장치, 특수 전원 공급 장치, 조명 및 기타 분야에 적용됩니다. 당사는 국가전력망공사, TBEA, 파나소닉, 화웨이 등 유명 기업의 지정 공급업체입니다.

  1. 리프팅 장비

각종 엘리베이터, 항만 기계 및 다양한 유형의 리프팅 장비에 대한 제품을 공급하며, 미쓰비시와 같은 유명 기업들이 선호하는 공급업체입니다.

  1. 운송

철도 운송, 신에너지 차량 등과 관련하여 CRE는 CRRC, BJEV, JEE 등의 지정 공급업체입니다.

  1. 새로운 에너지

태양 에너지, 풍력 에너지, 지열 에너지 등과 같은 신에너지 제어 시스템에 널리 사용되는 CRE는 TBEA, 국가 전력망 등의 지정 공급업체입니다.

  1. 의료기기

제세동기, X선 검출기, 세포 증식기

사양표

전압 Un=330V AC Us=1200V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
80 76 80 40 80 6.4 19.2 30 4 4.2 32 0.5
120 86 80 40 70 8.4 25.2 40 2.8 3.3 32 0.7
150 96 80 45 70 10.5 31.5 50 3.5 1.7 45 0.75
170 76 130 50 60 10.2 30.6 60 3.2 1.3 32 0.75
230 86 130 50 60 13.8 41.4 70 2.4 1.3 32 1.1
300 96 130 50 50 15.0 45.0 75 2.8 1.0 45 1.2
420 116 130 60 50 21.0 63.0 80 1.9 1.2 50 1.6
전압 Un=450V.AC Us=1520V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
50 76 80 40 90 4.5 13.5 30 4 4.2 32 0.5
65 86 80 50 80 5.2 15.6 40 2.8 3.3 32 0.7
80 96 80 45 80 6.4 19.2 50 3.5 1.7 45 0.75
100 76 130 50 70 7.0 21.0 60 3.2 1.3 32 0.75
130 86 130 45 60 7.8 23.4 70 2.4 1.3 32 1.1
160 96 130 50 50 8.0 24.0 75 2.8 1.0 45 1.2
250 116 130 60 50 12.5 37.5 80 1.9 1.2 50 1.6
전압 Un=690V.AC Us=2100V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
40 76 130 50 100 4.0 12.0 30 2.8 6.0 32 0.75
50 76 150 45 90 4.5 13.5 35 2.4 5.1 32 0.85
60 86 130 45 80 4.8 14.4 40 2.2 4.3 32 1.1
65 86 150 50 80 5.2 15.6 45 1.8 4.1 32 1.2
75 96 130 50 80 6.0 18.0 50 1.5 4.0 45 1.2
80 96 150 55 75 6.0 18.0 60 1.2 3.5 45 1.3
110 116 130 60 70 7.7 23.1 65 0.8 4.4 50 1.6
120 116 150 65 50 6.0 18.0 75 0.6 4.4 50 1.8
전압 Un=850V.AC Us=2850V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
25 76 130 50 110 2.8 8.3 35 1.5 8.2 32 0.75
30 76 150 60 100 3.0 9.0 40 1.2 7.8 32 0.85
32 86 130 45 100 3.2 9.6 50 1.15 5.2 32 1.1
45 86 150 50 90 4.1 12.2 50 1.05 5.7 32 1.2
40 96 130 50 90 3.6 10.8 50 1 6.0 45 1.2
60 96 150 60 85 5.1 15.3 60 0.9 4.6 45 1.3
60 116 130 60 80 4.8 14.4 65 0.85 4.2 50 1.6
90 116 150 65 75 6.8 20.3 75 0.8 3.3 50 1.8
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) 이르름스(A) ESR(mΩ) Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
전압 Un=400V.AC Us=1200V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
3배 110 116 130 100 60 6.6 19.8 3×50 3×0.78 4.5 43.5 1.6
3배 145 116 180 110 50 7.3 21.8 3×60 3×0.72 3.8 43.5 2.4
3배 175 116 210 120 50 8.8 26.3 3×75 3×0.67 3.5 43.5 2.7
3배 200 136 230 125 40 8.0 24.0 3×85 3×0.6 2.1 52 4.2
전압 Un=500V.AC Us=1520V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
3배 100 116 180 100 80 8.0 24.0 3×45 3×0.78 4.5 43.5 2.6
3배 120 116 230 120 70 8.4 25.2 3×50 3×0.72 3.8 43.5 3
3배 125 136 180 110 40 5.0 15.0 3×70 3×0.67 3.5 52 3.2
3배 135 136 230 130 50 6.8 20.3 3×80 3×0.6 2.1 52 4.2
전압 Un=690V.AC Us=2100V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
3배 49 116 230 120 70 3.4 10.3 3×56 3×0.55 2.1 43.5 3
3배 55.7 136 230 130 90 5.0 15.0 3×56 3×0.4 2.1 52 4.2
전압 Un=850V.AC Us=2580V
Cn(μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) 입(KA) 이스(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) 무게(kg)
3배 41.5 116 230 120 80 3.0 9.0 3×56 3×0.55 2.1 43.5 3
3배 55.7 136 230 130 50 0.4 1.2 3×104 3×0.45 1.8 52 4.2

제품 상세 사진:

대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE 상세 사진

대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE 상세 사진

대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE 상세 사진

대폭 할인된 IGBT 스너버 커패시터 - 원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE 상세 사진

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관련 제품 가이드:

효율적인 운영, 전문적인 수익 그룹, 그리고 뛰어난 사후 서비스까지 갖춘 저희는 "단결, 결단력, 관용"이라는 기업 가치를 바탕으로 하나된 거대한 가족과 같은 공동체를 이루고 있습니다. 저희는 대용량 IGBT 스너버 커패시터(원통형 구조의 건식 금속막 AC 커패시터 - CRE)를 전 세계(케냐, 카자흐스탄, 토론토 등)에 공급하고 있으며, 국가 기술 인증을 통과하여 업계에서 높은 평가를 받고 있습니다. 전문 엔지니어링 팀이 언제든 상담 및 피드백을 제공해 드릴 준비가 되어 있으며, 고객의 요구에 맞춰 무료 샘플도 제공해 드립니다. 최고의 서비스와 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하겠습니다. 저희 사업과 솔루션에 관심이 있으시다면 이메일을 보내시거나 직접 연락 주시기 바랍니다. 저희 제품과 사업에 대해 더 자세히 알아보시려면 공장을 방문해 주셔도 좋습니다. 전 세계 모든 분들을 언제나 환영하며, 저희와 함께 사업 관계를 구축해 나가기를 기대합니다. 소규모 사업체라면 부담 없이 저희에게 연락 주세요. 저희는 모든 판매자분들과 최고의 거래 실무 경험을 공유해 드릴 수 있다고 믿습니다.
  • 이렇게 전문적이고 책임감 있는 제조업체를 만나게 되어 정말 행운입니다. 제품 품질도 좋고 배송도 제시간에 도착해서 아주 만족합니다. 별 5개 몰타의 매튜 토비아스 님이 2018년 10월 9일 19시 7분에 작성했습니다.
    방금 상품을 받았습니다. 매우 만족스럽습니다. 훌륭한 공급업체이며, 앞으로도 꾸준히 더 나은 서비스를 제공해주시길 바랍니다. 별 5개 쾰른의 디나 님이 2018년 6월 5일 13시 10분에 작성했습니다.

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