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고효율 공진 스위치드 커패시터

고효율 공진형 스위치드 커패시터 주요 이미지
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간단한 설명:

RMJ-MT 시리즈 커패시터는 고전력 공진 회로용으로 설계되었으며 폴리프로필렌 필름의 저손실 유전체를 사용합니다.

이상적인 저전압, 고주파수, AC 공진 커패시터 솔루션입니다.


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제품 상세 정보

제품 태그

기술 데이터

작동 온도 범위 최대작동온도,상단,최대: +90℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃
용량 범위 1μF~8μF
정격전압 1200V.DC~4000V.DC
캡톨 ±5%(J) ;±10%(K)
내전압 1.5Un /10S
소산 인자 tgδ≤0.001 f=1KHz
절연저항 RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S에서)
기대 수명 100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)
참조 표준 IEC 61071, IEC 60110

특징

1. 수지로 밀봉된 마일라 테이프 패키지는 경량화됩니다.
2. 구리 너트 리드, 작은 크기, 쉬운 설치;
3. 낮은 ESL 및 ESR;
4. 높은 펄스 전류;
5. 고주파 전류 용량.

애플리케이션

1. 직렬/병렬 공진 회로의 전력 전자 장치에 널리 사용됩니다.

2. 용접, 전원 공급 장치, 유도 가열 장비 공명 경우.

외형도

 

1

전압 UN 1200V.DC Urms 500V.AC Upeak 710V
Cn(uF) ØD(mm) 엘(mm) ESR@100KHz(mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms(40℃ @100KHz ) Qn(kVar)
1 38 40 4.8 27 900 900 35 15.8
1.5 46 40 3.2 25 800 1200 45 20.3
2 53 40 2.4 25 750 1500 50 22.5
2 38 47 2.4 28 720 1440 33 14.9
3 64 40 1.6 23 680 2040년 60 27.0
3 45 47 2.1 27 620 1860년 40 18.0
4 52 47 1.6 26 550 2200 45 20.3
5 58 47 1.3 25 500 2500 53 23.9
6 63 47 1.1 23 450 2700 58 26.1
7 68 47 0.9 22 450 3150 60 27.0
8 73 47 0.8 20 400 3200 65 29.3

 

전압 UN 2000V.DC Urms 750V.AC Upeak 1050V
Cn(uF) ØD(mm) 엘(mm) ESR@100KHz(mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms(40℃ @100KHz ) Qn(kVar)
1 41 40 4.0 27 1100 1100 38 25.7
1.5 50 40 2.7 26 1000 1500 48 32.4
2 58 40 2.0 25 900 1800 55 37.1
2 49 60 2.0 26 850 1700 45 30.4
3 70 40 1.3 23 750 2250 65 43.9
3 59 60 1.9 25 650 1950년 55 37.1
4 81 40 1.4 22 600 2400 75 50.6
4 68 60 1.4 23 550 2200 62 41.9
5 76 60 1.1 22 500 2500 70 47.3
6 83 60 0.9 21 480 2880 75 50.6

 

전압 UN 30000V.DC Urms 1200V.AC Upeak 1700V
Cn(uF) ØD(mm) 엘(mm) ESR@100KHz(mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms(40℃ @100KHz ) Qn(kVar)
0.33 43 44 7.2 26 1800 594 40 43.2
0.47 51 44 5.5 25 1700 799 48 51.8
0.5 53 44 4.8 25 1600 800 50 54.0
0.68 61 44 3.5 24 1500 1020 56 60.5
0.75 64 44 3.2 24 1400 1050 60 64.8
0.8 66 44 4.0 23 1350 1080 62 67.0
1 74 44 3.2 22 1300 1300 70 75.6
1.2 81 44 2.7 21 1250 1500 75 81.0
1.5 90 44 2.1 20 1200 1800 80 86.4

 

전압 UN 4000V.DC Urms 1500V.AC Upeak 2100V
Cn(uF) ØD(mm) 엘(mm) ESR@100KHz(mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms(40℃ @100KHz ) Qn(kVar)
0.08 46 60 10.0 28 3000 240 40 51.0
0.1 51 60 8.0 27 2850 285 45 57.4
0.12 56 60 6.6 26 2750 330 50 63.8
0.15 63 60 8.5 25 2500 375 58 74.0
0.18 64 60 7.1 25 2400 432 60 76.5
0.25 80 60 5.1 23 2200 550 75 95.6
0.33 52 60 3.9 23 2000 660 48 61.2
0.47 62 60 5.1 22 1800 846 58 74.0
0.5 64 60 4.8 22 1700 850 60 76.5
0.68 75 60 3.5 20 1600 1088 70 89.3
0.75 78 60 3.2 20 1500 1125 72 91.8
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