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최신 신제품 컴팩트 디자인 필름 커패시터 - 폴리프로필렌 필름의 저손실 유전체 IGBT 애플리케이션용 스너버 커패시터 – CRE

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인기 신제품 컴팩트 디자인 필름 커패시터 - 폴리프로필렌 필름의 저손실 유전체 IGBT 애플리케이션용 스너버 커패시터 - CRE 세부사항:

SMJ-P 시리즈

정격 전압 범위: 1000VDC ~ 2000VDC
용량 범위: 0.1uf ~ 3.0uf
장착 피치: 22.5mm ~ 48mm
구조 : 금속화 폴리프로필렌 유전체 내부 직렬 연결
적용분야 : IGBT 보호, 공진탱크 회로

자가 치유 건식 스너버 커패시터 요소는 낮은 자체 인덕턴스, 높은 파열 저항 및 높은 신뢰성을 보장하는 특별히 프로파일링된 웨이브 컷 금속화 PP 필름을 사용하여 생산됩니다.과압 분리는 필요하지 않은 것으로 간주됩니다.커패시터 상단은 자기소화성 친환경 에폭시로 밀봉되어 있습니다.특수 설계로 매우 낮은 자체 인덕턴스를 보장합니다.

IMG_0397.HEIC

사양표

전압 유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
치수(mm)
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
전압 유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
치수(mm)
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815년 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750년 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974년 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
전압 UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750년 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815년 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750년 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974년 32
전압 유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980년 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750년 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
전압 유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
전압 유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

제품 세부 사진:

최신 신제품 컴팩트 디자인 필름 커패시터 - 폴리프로필렌 필름의 저손실 유전체 IGBT 애플리케이션용 스너버 커패시터 - CRE 상세 사진

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관련 제품 가이드:

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  • 이것은 매우 전문적이고 정직한 중국 공급 업체입니다. 이제부터 우리는 중국 제조와 사랑에 빠졌습니다. 별 5개 작성자: Bertha, 라스베가스 - 2017.01.28 19:59
    품질도 좋고 배송도 빠르고 아주 좋습니다.일부 제품에는 약간의 문제가 있지만 공급자가 시기적절하게 교체해 주었고 전반적으로 만족합니다. 별 5개 작성자: 베네수엘라 출신 John - 2018.07.12 12:19

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