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전력 변환에 사용되는 인버터 DC-링크 필름 커패시터

간단한 설명:

1. 금속 쉘 캡슐화, 건식 수지 주입;

2. 열악한 환경에서도 사용 가능

3. 높은 신뢰성

4. 자기 치유 능력

5. 필름콘덴서도 전해콘덴서 등에 비해 수명이 깁니다.


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  • 제품 상세 정보

    제품 태그

    DKMJ-S 시리즈

    DKMJ-S 시리즈는 금속 쉘로 설계되었으며 특히 고전압 및 대용량에 사용됩니다.직렬 또는 병렬 연결로 여러 개의 단일 코어 장치가 있습니다.철도 견인, 광산 전력 변환기, 재생 가능 에너지 시스템, 배터리 충전 시스템, 모터 드라이브 및 전원 공급 장치용 전력 전자 장치를 대상으로 합니다.이 유형은 전해 커패시터를 대체할 수 있으며 더 나은 성능과 긴 수명을 제공합니다.

    자가 치유 건식 커패시터 요소는 낮은 자체 인덕턴스, 높은 파열 저항 및 높은 신뢰성을 보장하는 특별히 프로파일링된 웨이브 컷 금속화 PP 필름을 사용하여 생산됩니다.과압 분리는 필요하지 않은 것으로 간주됩니다.커패시터 상단은 자기소화성 친환경 에폭시로 밀봉되어 있습니다.특별한 디자인은 매우 낮은 자체 인덕턴스를 보장합니다.

    2

    애플리케이션

    DC 링크 커패시터는 다양한 애플리케이션의 전력 변환에서 필수적인 단계를 형성합니다.

    1. 3상 펄스폭 변조(PWM) 인버터;

    2. 태양광 및 풍력 인버터;

    3. 산업용 모터 드라이브;

    4. 자동차 온보드 충전기 및 인버터;

    5. 의료 장비 전원 공급 장치;

    6. 채굴용 인버터 등

    사양표

    전압 UN 800V.DC 미국 1200V Ur 200V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    4000 340 125 190 5 20.0 120 1.1 0.9 17.6
    8000 340 125 350 4 32.0 180 0.72 0.6 31.2
    6000 420 125 245 5 30.0 150 0.95 0.7 26.4
    10000 420 125 360 4 40.0 200 0.72 0.5 39.2
    12000 420 235 245 4 48.0 250 0.9 0.3 49.6
    20000 420 235 360 3 60.0 300 0.6 0.3 73.6
    전압 UN 1200V.DC 미국 1800V Ur 300V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    2500 340 125 190 8 20.0 120 1.1 0.9 17.6
    3300 340 125 245 8 26.4 150 0.95 0.7 22.4
    5000 420 125 300 7 35.0 180 0.8 0.6 32.8
    7500 420 125 430 5.5 41.3 200 0.66 0.6 44.8
    5000 340 235 190 8 40.0 200 1.1 0.3 32.8
    10000 340 235 350 6 60.0 250 0.8 0.3 58.4
    5000 420 235 175 8 40.0 200 1 0.4 36
    7500 420 235 245 7 52.5 250 0.9 0.3 49.6
    10000 420 235 300 7 70.0 250 0.8 0.3 61.6
    15000 420 235 430 5 75.0 300 0.6 0.3 84
    전압 UN 1500V.DC 미국 2250V Ur 450V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    1200 340 125 190 10 12.0 120 1.1 0.9 17.6
    3000 340 125 420 8 24.0 180 0.66 0.7 37.6
    2000 420 125 245 10 20.0 150 0.95 0.7 26.4
    4000 420 125 430 8 32.0 200 0.66 0.6 44.8
    5000 340 235 350 8 40.0 250 0.8 0.3 58.4
    4000 420 235 245 10 40.0 250 0.9 0.3 49.6
    8000 420 235 430 8 64.0 300 0.6 0.3 84
    전압 UN 2000V.DC 미국 3000V Ur 600V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    1000 340 125 245 12 12.0 150 0.95 0.7 22.4
    1500 340 125 350 10 15.0 180 0.72 0.6 31.2
    2000 420 125 360 10 20.0 200 0.72 0.5 39.2
    2400 420 125 430 9 21.6 200 0.66 0.6 44.8
    3200 340 235 350 10 32.0 250 0.8 0.3 46.4
    4000 420 235 360 10 40.0 280 0.7 0.3 58.4
    4800 420 235 430 9 43.2 300 0.6 0.3 67.2
    전압 UN 2200V.DC 미국 3300V Ur 600V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
    2000 420 235 245 12 24 150 0.9 0.740740741 40
    2750 420 235 300 10 27.5 200 0.8 0.46875 49.6
    3500 420 235 360 10 35 200 0.7 0.535714286 58.4
    전압 UN 3000V.DC 미국 4500V Ur 800V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
    1050 420 235 245 20 21 150 0.9 0.740740741 40
    1400 420 235 300 15 21 200 0.8 0.46875 49.6
    1800 420 235 360 15 27 200 0.7 0.535714286 58.4
    전압 UN 4000V.DC 미국 6000V Ur 1000V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
    600 420 235 245 20 12 150 0.9 0.740740741 40
    800 420 235 300 20 16 200 0.8 0.46875 49.6
    1000 420 235 360 20 20 200 0.7 0.535714286 58.4
    전압 UN 2800V.DC 미국 4200V Ur 800V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    2×1000 560 190 310 20 2×20 2×350 1 0.2 60
    전압 UN 3200V.DC 미국 4800V Ur 900V
    Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
    2×1200 340 175 950 15 2×18 2×200 1.0 0.5 95

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