중주파 유도 용광로용 콘덴서 최저가 - 고출력 애플리케이션을 위한 고급 IGBT 스너버 콘덴서 설계 – CRE
중주파 유도 용광로용 콘덴서 최저가 - 고출력 애플리케이션을 위한 고급 IGBT 스너버 콘덴서 설계 – CRE 상세 정보:
기술 데이터
| 작동 온도 범위 | 최대 작동 온도, 최고: +105℃ 최고 사용 온도: +85℃ 최저 온도 범위: -40℃ |
| 정전 용량 범위 | 0.1μF~5.6μF |
| 정격 전압 | 700V DC ~ 3000V DC |
| 캡톨 | ±5%(J);±10%(K) |
| 내전압 | 1.5Un DC/10S |
| 소산 계수 | tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz |
| 절연 저항 | C≤0.33μF, RS≥15000 MΩ (20℃, 100V, DC, 60초 기준) C>0.33μF RS*C≥5000S(20℃, 100V, DC 60S) |
| 타격 전류를 견뎌내다 | 데이터시트를 참조하십시오. |
| 난연성 | UL94V-0 |
| 기대 수명 | 100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C) |
| 참조 표준 | IEC61071;GB/T17702; |
사양표
| 전압 | Un 700V.DC, Urms400Vac;Us1050V | |||||||
| 치수(mm) | ||||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR @100KHz (mΩ) | ESL(nH) | dv/dt (V/μS) | 이피크(A) | 실효값(Irms) @40℃ @100KHz (A) |
| 0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 12 | 25 | 500 | 235 | 8 |
| 0.68 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 10 | 25 | 480 | 326.4 | 10 |
| 1 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 8 | 24 | 450 | 450 | 12 |
| 1.5 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 7 | 25 | 430 | 645 | 5 |
| 2 | 42.5 | 33 | 35.5 | 6 | 24 | 420 | 840 | 15 |
| 2.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 23 | 400 | 1000 | 18 |
| 3 | 42.5 | 33 | 45 | 5.5 | 22 | 380 | 1140 | 20 |
| 3 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 26 | 350 | 1050 | 22 |
| 3.5 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 23 | 350 | 1225 | 25 |
| 3.5 | 57.5 | 30 | 45 | 6 | 25 | 300 | 1050 | 22 |
| 4.7 | 57.5 | 35 | 50 | 5 | 28 | 280 | 1316 | 25 |
| 5.6 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 30 | 250 | 1400 | 25 |
| 6 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 33 | 230 | 1380 | 28 |
| 6.8 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 32 | 220 | 1496 | 32 |
| 8 | 57.5 | 42.5 | 56 | 2.8 | 30 | 200 | 1600 | 33 |
| 전압 | Un 1000V.DC, Urms500Vac;Us1500V | |||||||
| 치수(mm) | ||||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | 이피크(A) | 이르름스 |
| 0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 11 | 25 | 1000 | 470 | 10 |
| 0.68 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 8 | 25 | 800 | 544 | 12 |
| 1 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 6 | 24 | 800 | 800 | 15 |
| 1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 24 | 700 | 1050 | 15 |
| 2 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 22 | 700 | 1400 | 20 |
| 2.5 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 30 | 600 | 1500 | 22 |
| 3 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 30 | 600 | 1800 | 25 |
| 3.3 | 57.5 | 35 | 50 | 3.5 | 28 | 550 | 1815 | 25 |
| 3.5 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 28 | 500 | 1750 | 25 |
| 4 | 57.5 | 38 | 54 | 3.2 | 26 | 500 | 2000 | 28 |
| 4.7 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3 | 25 | 420 | 1974 | 30 |
| 5.6 | 57.5 | 42.5 | 56 | 2.8 | 24 | 400 | 2240 | 32 |
| 전압 | Un 1200V.DC, Urms550Vac;Us1800V | |||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | 이피크(A) | 이르름스 |
| 0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 11 | 24 | 1200 | 564 | 10 |
| 0.68 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 7 | 23 | 1100 | 748 | 12 |
| 1 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 6 | 22 | 800 | 800 | 14 |
| 1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 20 | 800 | 1200 | 15 |
| 2 | 57.5 | 30 | 45 | 4 | 30 | 750 | 1500 | 20 |
| 2.5 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 28 | 700 | 1750 | 25 |
| 3 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 27 | 600 | 1800 | 25 |
| 3.3 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 27 | 550 | 1815 | 28 |
| 3.5 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 25 | 500 | 1750 | 28 |
| 4 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.5 | 25 | 450 | 1800 | 30 |
| 4.7 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 23 | 420 | 1974 | 32 |
| 전압 | Un 1700V.DC, Urms575Vac;Us2250V | |||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | 이피크(A) | 이르름스 |
| 0.33 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 12 | 25 | 1300 | 429 | 9 |
| 0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 10 | 24 | 1300 | 611 | 10 |
| 0.68 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 8 | 23 | 1300 | 884 | 12 |
| 1 | 42.5 | 33 | 45 | 7 | 22 | 1200 | 1200 | 15 |
| 1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 22 | 1200 | 1800 | 18 |
| 1.5 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 31 | 1200 | 1800 | 20 |
| 2 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 30 | 1100 | 2200 | 22 |
| 2.5 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 28 | 1100 | 2750 | 25 |
| 3 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 27 | 700 | 2100 | 25 |
| 3.3 | 57.5 | 38 | 54 | 3.8 | 26 | 600 | 1980 | 28 |
| 3.5 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.5 | 25 | 500 | 1750 | 30 |
| 4 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 25 | 450 | 1800 | 32 |
| 전압 | Un 2000V.DC, Urms700Vac;Us3000V | |||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | 이피크(A) | 이르름스 |
| 0.22 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 15 | 25 | 1500 | 330 | 10 |
| 0.33 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 12 | 24 | 1500 | 495 | 12 |
| 0.47 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 11 | 23 | 1400 | 658 | 15 |
| 0.68 | 42.5 | 33 | 45 | 8 | 22 | 1200 | 816 | 18 |
| 0.68 | 57.5 | 30 | 45 | 7 | 30 | 1100 | 748 | 20 |
| 0.82 | 42.5 | 33 | 45 | 7 | 28 | 1200 | 984 | 22 |
| 1 | 57.5 | 30 | 45 | 6 | 28 | 1100 | 1100 | 25 |
| 1.5 | 57.5 | 35 | 50 | 5 | 25 | 1000 | 1500 | 28 |
| 2 | 57.5 | 38 | 54 | 5 | 24 | 800 | 1600 | 28 |
| 2.2 | 57.5 | 42.5 | 56 | 4 | 23 | 700 | 1540 | 32 |
| 전압 | Un 3000V.DC, Urms750Vac;Us4500V | |||||||
| Cn(μF) | L(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | 이피크(A) | 이르름스 |
| 0.15 | 42.5 | 33 | 45 | 18 | 28 | 2500 | 375 | 25 |
| 0.22 | 42.5 | 33 | 45 | 15 | 27 | 2200 | 484 | 28 |
| 0.22 | 57.5 | 35 | 50 | 15 | 25 | 2000 | 330 | 20 |
| 0.33 | 57.5 | 35 | 50 | 12 | 24 | 1800 | 495 | 20 |
| 0.47 | 57.5 | 38 | 54 | 11 | 23 | 1600 | 752 | 22 |
| 0.68 | 57.5 | 42.5 | 56 | 8 | 22 | 1500 | 1020 | 28 |
제품 상세 사진:
관련 제품 가이드:
당사는 우수한 제품 품질, 경쟁력 있는 가격, 그리고 최고의 서비스로 고객 여러분께 높은 평판을 얻고 있습니다. 특히 고출력 애플리케이션을 위한 고급 IGBT 스너버 커패시터 설계인 CRE 제품은 중주파 유도로용 커패시터 최저가로 제공됩니다. 당사는 카이로, 나이지리아, 자메이카 등 전 세계로 제품을 공급하고 있으며, 고객 여러분의 많은 관심과 성원을 진심으로 환영합니다. 앞으로도 변함없이 최고의 품질과 탁월한 서비스를 제공하며 지속적인 발전을 위해 노력하겠습니다. 당사의 전문성을 통해 고객 여러분께서 곧 만족을 얻으실 수 있을 것이라고 확신합니다.
공장 직원들은 풍부한 산업 지식과 운영 경험을 가지고 있었고, 우리는 그들과 함께 일하면서 많은 것을 배웠습니다. 훌륭한 직원들을 보유한 좋은 회사를 만날 수 있어서 매우 감사했습니다.
저희에게 메시지를 보내주세요:
여기에 메시지를 작성하여 보내주세요.





