금속화 필름 IGBT 스너버 커패시터

간단한 설명:

1. 수지로 밀봉된 플라스틱 케이스;

2. 주석 도금 구리 인서트 리드, IGBT용 설치 용이;

3. 고전압, 낮은 tgδ, 저온 상승에 대한 저항;

4. 낮은 ESL 및 ESR;

5. 높은 펄스 전류.

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제품 상세 정보

제품 태그

SMJ-P 시리즈

전력 전자 애플리케이션에서는 전기 배선의 기생 인덕턴스를 줄이기 위해 스너버 커패시터가 대전류 스위칭 노드에 연결됩니다.

기생 인덕턴스로 인해 스위치 오프 시(전류가 차단될 때) 큰 서지가 발생하며, 이러한 서지가 부품 정격을 초과할 경우 최악의 경우 고장이 발생할 우려가 있습니다.

낮은 인덕턴스 내부 구조, 옵션으로 제공되는 성형 수지 케이스 및 맞춤형 종단을 활용하는 SMJ-P 시리즈는 빠른 스위칭 IGBT용으로 설계되었으며 스너버 및 고전류 고주파 입력 필터 역할을 할 수 있습니다.

기술 데이터

전압	유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR @100KHz(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
전압	유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815년	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750년	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974년	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
전압	UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750년	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815년	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750년	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974년	32
전압	유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980년	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750년	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
전압	유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
전압	유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28