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PCB 커패시터용 재생 가능 설계 - 축형 GTO 스너버 커패시터 – CRE

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PCB 커패시터용 재생 가능 설계 - 축형 GTO 스너버 커패시터 - CRE 상세 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위 최대 작동 온도, 최상단: +85℃, 최상단 범주 온도: +85℃, 최하단 범주 온도: -40℃
정전 용량 범위 0.1μF~5.6μF
정격 전압

630V DC ~ 2000V DC

캡톨

±5%(J) ;±10%(K)

내전압

1.5Un DC/10S

소산 계수

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

절연 저항

C≤0.33μF, RS≥15000 MΩ (20℃, 100V, DC, 60초 기준)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃, 100V, DC 60S 기준)

타격 전류를 견뎌내다
기대 수명

100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)

참조 표준

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

애플리케이션

1. IGBT 스너버.

2. 전력 전자 장비에서 최대 전압 및 최대 전류 흡수 보호에 널리 사용됩니다.

외곽선도

 

1

 

 

 

 

SMJ-TE 축형 커패시터
전압 Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

전압 Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

전압 Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 18.2

 

전압 Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

전압 Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

전압 Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
정전용량(μF) 길이 (mm±1) T (mm±1) 높이(mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) 이피크(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

제품 상세 사진:

PCB 커패시터용 재생 가능 설계 - 축형 GTO 스너버 커패시터 - CRE 상세 사진

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  • 이 회사는 선택할 수 있는 다양한 기성 옵션을 제공할 뿐만 아니라, 우리의 요구에 맞춰 새로운 프로그램을 맞춤 제작해 줄 수도 있어서 우리에게 매우 적합합니다. 별 5개 나이로비의 옥타비아 님이 2017년 11월 29일 오전 11시 9분에 작성했습니다.
    중국 제조업체와의 이번 협력에 대해 말씀드리자면, "정말 잘 됐습니다."라고밖에 할 말이 없네요. 저희는 매우 만족합니다. 별 5개 벨기에의 오스틴 헬먼 작성 - 2018년 12월 14일 15시 26분

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