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PCB 커패시터를 위한 재생 가능 설계 - 고전압, 고전류 및 높은 펄스 애플리케이션에 사용되는 폴리프로필렌 스너버 커패시터 - CRE

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우리는 높은 품질과 향상, 머천다이징, 수입, 마케팅 및 절차에 있어 환상적인 강점을 제공합니다.에너지 저장 필름 커패시터 , 매물 산업용 커패시터 , 고조파 공명 커패시터, 번영하고 효율적인 비즈니스를 함께 만들어가는 이 길에 여러분의 동참을 환영합니다.
Pcb 커패시터를 위한 재생 가능 설계 - 고전압, 고전류 및 고펄스 응용 분야에 사용되는 폴리프로필렌 스너버 커패시터 - CRE 세부 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위 최대작동온도,상단,최대: + 85℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃
용량 범위 0.1μF~5.6μF
정격전압

630V.DC~2000V.DC

캡톨

±5%(J) ;±10%(K)

내전압

1.5Un DC/10S

소산 인자

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

절연저항

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S에서)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S에서)

충격 전류를 견딜 수 있음
기대 수명

100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)

참조 표준

IEC 61071, IEC 61881, GB/T17702

애플리케이션

1. IGBT 스너버, GTO 스너버

2. 피크 전압, 피크 전류 흡수 보호 시 전력 전자 장비에 널리 사용됩니다.

외형도

그림 1

SMJ-TE 축방향 커패시터
전압 Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
전압 UN 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575년 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974년 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
전압 UN 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760년 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974년 18.2
전압 UN 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650년 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2
전압 UN 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8
전압 UN 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
정전용량(uF) 엘(mm±1) 티(mm±1) H(mm±1) Φd(mm) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

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제품 세부 사진:

Pcb 커패시터를 위한 재생 가능 설계 - 고전압, 고전류 및 고펄스 애플리케이션에 사용되는 폴리프로필렌 스너버 커패시터 - CRE 상세 사진

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관련 제품 가이드:

우리 기업은 충실하게 운영하고 모든 잠재 고객에게 서비스를 제공하며 Pcb 커패시터(고전압, 고전류 및 높은 펄스 응용 분야에 사용되는 폴리프로필렌 스너버 커패시터)의 재생 가능 설계를 위해 새로운 기술과 새로운 기계를 자주 사용하는 것을 목표로 합니다. 제품은 다음과 같습니다. 포르투갈, 가나, 모리타니아 등 전 세계에 공급하고 있습니다. 저희 회사는 이미 ISO 표준을 통과했으며 고객의 특허와 저작권을 전적으로 존중합니다.고객이 자신의 디자인을 제공하는 경우 해당 제품을 가질 수 있는 유일한 사람이 될 것임을 보장합니다.우리는 좋은 제품으로 고객에게 큰 행운을 가져다 줄 수 있기를 바랍니다.
  • 우리는 수년 동안 이 업계에 종사해 왔으며 회사의 업무 태도와 생산 능력을 높이 평가합니다. 이것은 평판이 좋고 전문적인 제조업체입니다. 별 5개 작성자: Rigoberto Boler, 알제리 - 2018.09.12 17:18
    회사는 이 업계에서 좋은 평판을 갖고 있으며 마침내 그 회사를 선택하는 것이 좋은 선택이라는 것이 밝혀졌습니다. 별 5개 작성자: Joyce, 요하네스버그 - 2017.08.21 14:13

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