인기 제품 4핀 단자 커패시터 - 금속화 필름 IGBT 스너버 커패시터 – CRE
인기 제품 4핀 단자 커패시터 - 금속화 필름 IGBT 스너버 커패시터 - CRE 세부 정보:
기술 데이터
작동 온도 범위 | 최대작동온도,상단,최대: +105℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃ |
용량 범위 | 0.1μF~5.6μF |
정격전압 | 700V.DC~3000V.DC |
캡톨 | ±5%(J) ;±10%(K) |
내전압 | 1.5Un DC/10S |
소산 인자 | tgδ<0.0005 C<1μF f=10KHztgδ<0.001 C≥1μF f=10KHz |
절연저항 | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S) |
충격 전류를 견딜 수 있음 | 具体见规格表 |
난연 | UL94V-0 |
기대 수명 | 100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C) |
참조 표준 | IEC61071;GB/T17702; |
전압 | 유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V | |||||||
치수(mm) | ||||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR @100KHz(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms @40℃ @100KHz (A) |
0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 12 | 25 | 500 | 235 | 8 |
0.68 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 10 | 25 | 480 | 326.4 | 10 |
1 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 8 | 24 | 450 | 450 | 12 |
1.5 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 7 | 25 | 430 | 645 | 5 |
2 | 42.5 | 33 | 35.5 | 6 | 24 | 420 | 840 | 15 |
2.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 23 | 400 | 1000 | 18 |
3 | 42.5 | 33 | 45 | 5.5 | 22 | 380 | 1140 | 20 |
3 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 26 | 350 | 1050 | 22 |
3.5 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 23 | 350 | 1225 | 25 |
3.5 | 57.5 | 30 | 45 | 6 | 25 | 300 | 1050 | 22 |
4.7 | 57.5 | 35 | 50 | 5 | 28 | 280 | 1316 | 25 |
5.6 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 30 | 250 | 1400 | 25 |
6 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 33 | 230 | 1380 | 28 |
6.8 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 32 | 220 | 1496 | 32 |
8 | 57.5 | 42.5 | 56 | 2.8 | 30 | 200 | 1600 | 33 |
전압 | 유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V | |||||||
치수(mm) | ||||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 11 | 25 | 1000 | 470 | 10 |
0.68 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 8 | 25 | 800 | 544 | 12 |
1 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 6 | 24 | 800 | 800 | 15 |
1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 24 | 700 | 1050 | 15 |
2 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 22 | 700 | 1400 | 20 |
2.5 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 30 | 600 | 1500 | 22 |
3 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 30 | 600 | 1800 | 25 |
3.3 | 57.5 | 35 | 50 | 3.5 | 28 | 550 | 1815년 | 25 |
3.5 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 28 | 500 | 1750년 | 25 |
4 | 57.5 | 38 | 54 | 3.2 | 26 | 500 | 2000 | 28 |
4.7 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3 | 25 | 420 | 1974년 | 30 |
5.6 | 57.5 | 42.5 | 56 | 2.8 | 24 | 400 | 2240 | 32 |
전압 | UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V | |||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 11 | 24 | 1200 | 564 | 10 |
0.68 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 7 | 23 | 1100 | 748 | 12 |
1 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 6 | 22 | 800 | 800 | 14 |
1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 5 | 20 | 800 | 1200 | 15 |
2 | 57.5 | 30 | 45 | 4 | 30 | 750 | 1500 | 20 |
2.5 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 28 | 700 | 1750년 | 25 |
3 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 27 | 600 | 1800 | 25 |
3.3 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 27 | 550 | 1815년 | 28 |
3.5 | 57.5 | 38 | 54 | 3.5 | 25 | 500 | 1750년 | 28 |
4 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.5 | 25 | 450 | 1800 | 30 |
4.7 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 23 | 420 | 1974년 | 32 |
전압 | 유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V | |||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
0.33 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 12 | 25 | 1300 | 429 | 9 |
0.47 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 10 | 24 | 1300 | 611 | 10 |
0.68 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 8 | 23 | 1300 | 884 | 12 |
1 | 42.5 | 33 | 45 | 7 | 22 | 1200 | 1200 | 15 |
1.5 | 42.5 | 33 | 45 | 6 | 22 | 1200 | 1800 | 18 |
1.5 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 31 | 1200 | 1800 | 20 |
2 | 57.5 | 30 | 45 | 5 | 30 | 1100 | 2200 | 22 |
2.5 | 57.5 | 35 | 50 | 4 | 28 | 1100 | 2750 | 25 |
3 | 57.5 | 38 | 54 | 4 | 27 | 700 | 2100 | 25 |
3.3 | 57.5 | 38 | 54 | 3.8 | 26 | 600 | 1980년 | 28 |
3.5 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.5 | 25 | 500 | 1750년 | 30 |
4 | 57.5 | 42.5 | 56 | 3.2 | 25 | 450 | 1800 | 32 |
전압 | 유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V | |||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
0.22 | 42.5 | 24.5 | 27.5 | 15 | 25 | 1500 | 330 | 10 |
0.33 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 12 | 24 | 1500 | 495 | 12 |
0.47 | 42.5 | 33.5 | 35.5 | 11 | 23 | 1400 | 658 | 15 |
0.68 | 42.5 | 33 | 45 | 8 | 22 | 1200 | 816 | 18 |
0.68 | 57.5 | 30 | 45 | 7 | 30 | 1100 | 748 | 20 |
0.82 | 42.5 | 33 | 45 | 7 | 28 | 1200 | 984 | 22 |
1 | 57.5 | 30 | 45 | 6 | 28 | 1100 | 1100 | 25 |
1.5 | 57.5 | 35 | 50 | 5 | 25 | 1000 | 1500 | 28 |
2 | 57.5 | 38 | 54 | 5 | 24 | 800 | 1600 | 28 |
2.2 | 57.5 | 42.5 | 56 | 4 | 23 | 700 | 1540 | 32 |
전압 | 유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V | |||||||
Cn(μF) | 엘(±1) | 티(±1) | H(±1) | ESR(mΩ) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms |
0.15 | 42.5 | 33 | 45 | 18 | 28 | 2500 | 375 | 25 |
0.22 | 42.5 | 33 | 45 | 15 | 27 | 2200 | 484 | 28 |
0.22 | 57.5 | 35 | 50 | 15 | 25 | 2000 | 330 | 20 |
0.33 | 57.5 | 35 | 50 | 12 | 24 | 1800 | 495 | 20 |
0.47 | 57.5 | 38 | 54 | 11 | 23 | 1600 | 752 | 22 |
0.68 | 57.5 | 42.5 | 56 | 8 | 22 | 1500 | 1020 | 28 |
특징
1. 수지로 밀봉된 플라스틱;
2. 주석 도금 구리 인서트 리드, IGBT용 설치 용이;
3. 고전압, 낮은 tgδ, 저온 상승에 대한 저항;
4. 낮은 ESL 및 ESR;
5. 높은 펄스 전류.
낮은 인덕턴스 내부 구조, 옵션으로 제공되는 성형 수지 케이스 및 맞춤형 종단을 활용하는 SMJ-P 시리즈는 빠른 스위칭 IGBT용으로 설계되었으며 스너버 및 고전류 고주파 입력 필터 역할을 할 수 있습니다.
제품 세부 사진:
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