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인기 상품 4핀 터미널 커패시터 - 금속 필름 IGBT 스너버 커패시터 – CRE 상세 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위	최대 작동 온도, 최상급: +105℃, 상한 설정 온도: +85℃, 하한 설정 온도: -40℃
정전 용량 범위	0.1μF~5.6μF
정격 전압	700V DC ~ 3000V DC
캡톨	±5%(J) ;±10%(K)
내전압	1.5Un DC/10S
소산 계수	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
절연 저항	C≤0.33μF, RS≥15000 MΩ (20℃, 100V, DC, 60초 기준) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃, 100V, DC 60S)
타격 전류를 견뎌내다	具体见规格表
난연성	UL94V-0
기대 수명	100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)
참조 표준	IEC61071;GB/T17702;

전압			Un 700V.DC, Urms400Vac;Us1050V
	치수(mm)
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	이피크(A)	실효값(Irms) @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


전압			Un 1000V.DC, Urms500Vac;Us1500V
	치수(mm)
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

전압			Un 1200V.DC, Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

전압			Un 1700V.DC, Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

전압			Un 2000V.DC, Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

전압			Un 3000V.DC, Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

특징

1. 플라스틱, 수지로 밀봉됨;

2. 주석 도금 구리 삽입 리드선으로 IGBT 설치가 용이합니다.

3. 고전압 저항성, 낮은 tgδ, 낮은 온도 상승;

4. 낮은 ESL 및 ESR;

5. 높은 펄스 전류.

SMJ-P 시리즈는 낮은 인덕턴스의 내부 구조, 선택 사양인 몰드 레진 케이스 및 맞춤형 단자를 활용하여 고속 스위칭 IGBT에 적합하도록 설계되었으며, 스너버 및 고전류 고주파 입력 필터로 사용할 수 있습니다.

제품 상세 사진:

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