도매 고전압 스너버 커패시터

간단한 설명:

CRE는 모든 종류의 스너버 커패시터를 제공합니다.

1. CRE가 설계하고 제조한 혁신적인 스너버 커패시터

2. 필름 콘덴서 설계 및 제조 분야의 선두주자입니다.

3. 고유한 스너버 사양이 필요한 경우 맞춤형 설계 스너버 커패시터를 위해 당사 설계 센터로 가십시오.

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제품 상세 정보

제품 태그

기술 데이터

작동 온도 범위	최대작동온도,상단,최대: +90℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃
용량 범위	1μF~8μF
정격전압	1200V.DC~4000V.DC
캡톨	±5%(J) ;±10%(K)
내전압	1.5Un /10S
소산 인자	tgδ≤0.001 f=1KHz
절연저항	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S에서)
기대 수명	100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)
참조 표준	IEC 61071, IEC 60110

특징

옵션으로는 단일 금속화 스너버 커패시터와 이중 금속화 스너버 커패시터가 있습니다.

애플리케이션

1. 전력 전자 애플리케이션에서 스너버 커패시터는 전압 및 전류 링잉을 클램핑하여 전자기 간섭을 줄이는 역할을 합니다.

2. 부유 인덕턴스 감소를 위해 IGBT 모듈에 장착되는 스너버 커패시터는 다용성을 위해 구성 가능한 단자에 제공됩니다.

사양표

전압	유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR @100KHz(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
전압	유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815년	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750년	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974년	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
전압	UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750년	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815년	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750년	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974년	32
전압	유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980년	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750년	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
전압	유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
전압	유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28