18년 경력의 공장 직류 전력 커패시터 - 축형 GTO 스너버 커패시터 - CRE

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잘 갖춰진 시설과 생산 전 단계에 걸친 탁월한 품질 관리 덕분에 고객 만족을 완벽하게 보장할 수 있습니다.전력 전자 커패시터 솔루션 , EV 커패시터 , 자동차 분야에서의 커패시터저희는 귀하의 문의를 곧 접수할 수 있기를 기대하며, 향후 함께 협력할 수 있는 기회를 갖기를 희망합니다. 저희 회사에 대해 자세히 알아보시기 바랍니다.

18년 경력의 공장 직류 전원 커패시터 - 축형 GTO 스너버 커패시터 - CRE 상세 정보:

기술 데이터

작동 온도 범위	최대 작동 온도, 최상단: +85℃, 최상단 범주 온도: +85℃, 최하단 범주 온도: -40℃
정전 용량 범위	0.1μF~5.6μF
정격 전압	630V DC ~ 2000V DC
캡톨	±5%(J) ;±10%(K)
내전압	1.5Un DC/10S
소산 계수	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
절연 저항	C≤0.33μF, RS≥15000 MΩ (20℃, 100V DC, 60초 기준) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃, 100V, DC 60S 기준)
타격 전류를 견뎌내다
기대 수명	100000h(Un; Θ핫스팟≤85°C)
참조 표준	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

애플리케이션

1. IGBT 스너버.

2. 전력 전자 장비에서 최대 전압 및 최대 전류 흡수 보호에 널리 사용됩니다.

외곽선도

SMJ-TE 축형 커패시터
전압		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V

정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

전압			Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

전압			Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2

전압			Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2

전압			Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8

전압			Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
정전용량(μF)	길이 (mm±1)	T (mm±1)	높이(mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

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고객에게 더 큰 가치를 창출하는 것이 저희 기업 철학이며, 고객 성장은 18년간 저희 공장에서 추구해 온 목표입니다. 저희는 DC 전원 커패시터 - 축형 GTO 스너버 커패시터 - CRE를 생산하고 있으며, 워싱턴, 파나마, 뉴욕 등 전 세계에 제품을 공급하여 관련 국가에서 높은 평판을 얻고 있습니다. 저희 회사는 설립 이후 생산 공정 혁신과 최신 경영 방식을 고수해 왔으며, 업계 최고의 인재들을 유치해 왔습니다. 저희는 제품 품질을 가장 중요한 핵심 가치로 여깁니다.

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