DC LINK 커패시터 DKMJ-S

간단한 설명:

고전력 콘덴서 DKMJ-S 시리즈

1. 작동 온도 범위: +70 ~ -45℃

2. 용량 범위: 100uf – 20000uf

3. 정격 전압: 600VDC-4000VDC

4. 최대 고도: 2000m

5. 수명: 100,000시간

6. 참고: 표준: IEC61071,IEC61881,ISO9001

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제품 상세 정보

제품 태그

DKMJ-S 시리즈

CRE는 10년 동안 고성능 필름 커패시터 기술 설계 분야의 세계적인 선두주자였습니다.우리는 100VDC에서 4kVDC까지 건식 커패시터를 생산합니다.CRE High Power의 주요 특징은 제어된 자가 치유 기술입니다.이를 통해 유전체 내의 미세한 전도 부위를 효과적으로 절연함으로써 커패시터가 심각한 고장 없이 계속 작동할 수 있습니다.

파워 필름 커패시터는 작동 수명 내내 기능을 유지하지만 초기 정전 용량 값은 적용된 전압 및 핫스팟 온도에 따라 감소합니다.당사의 표준 설계는 공칭 전압 및 70°C 핫스팟 온도에서 100,000시간 수명 동안 <(2-5)%의 정전 용량 손실을 제공하며, 요청 시 애플리케이션별 설계가 제공될 수 있습니다.다양한 시리즈의 CRE 고전력 커패시터는 DC 필터링, 보호, 펄스 방전, 튜닝, AC 필터링 및 저장 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.

사양

전압	UN 800V.DC 미국 1200V Ur 200V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0.9	17.6
8000	340	125	350	4	32.0	180	0.72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0.95	0.7	26.4
10000	420	125	360	4	40.0	200	0.72	0.5	39.2
12000	420	235	245	4	48.0	250	0.9	0.3	49.6
20000	420	235	360	3	60.0	300	0.6	0.3	73.6
전압	UN 1200V.DC 미국 1800V Ur 300V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0.9	17.6
3300	340	125	245	8	26.4	150	0.95	0.7	22.4
5000	420	125	300	7	35.0	180	0.8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40.0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	60.0	250	0.8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40.0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0.9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70.0	250	0.8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75.0	300	0.6	0.3	84
전압	UN 1500V.DC 미국 2250V Ur 450V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0.9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0.66	0.7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0.95	0.7	26.4
4000	420	125	430	8	32.0	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40.0	250	0.8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40.0	250	0.9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64.0	300	0.6	0.3	84
전압	UN 2000V.DC 미국 3000V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0.95	0.7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0.72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0.72	0.5	39.2
2400	420	125	430	9	21.6	200	0.66	0.6	44.8
3200	340	235	350	10	32.0	250	0.8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40.0	280	0.7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2
전압	UN 2200V.DC 미국 3300V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
2000	420	235	245	12	24	150	0.9	0.740740741	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0.8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 3000V.DC 미국 4500V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
1050	420	235	245	20	21	150	0.9	0.740740741	40
1400	420	235	300	15	21	200	0.8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 4000V.DC 미국 6000V Ur 1000V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
600	420	235	245	20	12	150	0.9	0.740740741	40
800	420	235	300	20	16	200	0.8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 2800V.DC 미국 4200V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60
전압	UN 3200V.DC 미국 4800V Ur 900V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(에이)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0.5	95