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전력 전자 장비의 GTO 스너버 커패시터

간단한 설명:

스위칭 회로에 사용되는 다이오드에는 스너버 회로가 필수적입니다.역회복 과정에서 발생할 수 있는 과전압 스파이크로부터 다이오드를 보호할 수 있습니다.


제품 상세 정보

제품 태그

기술 데이터

작동 온도 범위 최대작동온도,상단,최대: + 85℃상위온도: +85℃하위온도: -40℃
용량 범위

0.22~3μF

정격전압

3000V.DC~10000V.DC

캡톨

±5%(J) ;±10%(K)

내전압

1.35Un DC/10S

소산 인자

tgδ≤0.001 f=1KHz

절연저항

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S에서)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S에서)

충격 전류를 견딜 수 있음

데이터시트 참조

기대 수명

100000h(Un; Θ핫스팟≤70°C)

참조 표준

IEC 61071;

특징

1. 수지로 밀봉된 마일라 테이프;

2. 구리 너트 리드;

3. 고전압, 낮은 tgδ, 저온 상승에 대한 내성;

4. 낮은 ESL 및 ESR;

5. 높은 펄스 전류.

애플리케이션

1. GTO 스너버.

2. 피크 전압, 피크 전류 흡수 보호 시 전력 전자 장비에 널리 사용됩니다.

일반적인 회로

1

외형도

2

사양

유엔=3000V.DC

정전 용량(μF)

ØD(mm)

엘(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

이르름스(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

유엔=6000V.DC

정전 용량(μF)

ØD(mm)

엘(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

이르름스(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

유엔=7000V.DC

정전 용량(μF)

ØD(mm)

엘(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

이르름스(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

유엔=8000V.DC

용량(μF)

ØD(mm)

엘(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

이르름스(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

유엔=10000V.DC

정전 용량(μF)

ØD(mm)

엘(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

이르름스(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


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