알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC – CRE용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션

알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션 – CRE 주요 이미지

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알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션 – CRE 세부정보:

기술 데이터

정격 용량	CN	1500μF±5%
정격전압	UN	3000V.DC
비반복성 서지 전압	Us	4500V
최대 전류	I최대	250A
최대 피크 전류	Î	22.5KA
최대 서지 전류	Is	80KA
직렬저항	Rs	0.35mΩ 이하
손실의 탄젠트	탠 껍질δ	0.002(100Hz)
손실 각도의 탄젠트	탠 껍질δ0	0.0002
자가 방전 시간 const.	C × Ris	10000S(100VDC 60S)
자기 인덕턴스	Le	≤50nH
내열성	Rth	0.7K/W
최저 작동 온도	È분	-40°C
최대 작동 온도	È최대	70°C
보관온도	È저장	-40~85°C
서비스 수명(먹었다핫스팟)		100,000시간(70°C 이하)
실패 할당량		100핏

테스트 데이터
단자 간 전압 테스트	Vtt	4500V.DC/10S
AC 전압 테스트 터미널/컨테이너	Vt-c	10000V.AC/60S

작동 고도		2000m(최대)
최대 토크		25Nm(최대)
무게		≒45kg

사양표

전압	UN 800V.DC 미국 1200V Ur 200V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0.9	17.6
8000	340	125	350	4	32.0	180	0.72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0.95	0.7	26.4
10000	420	125	360	4	40.0	200	0.72	0.5	39.2
12000	420	235	245	4	48.0	250	0.9	0.3	49.6
20000	420	235	360	3	60.0	300	0.6	0.3	73.6
전압	UN 1200V.DC 미국 1800V Ur 300V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0.9	17.6
3300	340	125	245	8	26.4	150	0.95	0.7	22.4
5000	420	125	300	7	35.0	180	0.8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40.0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	60.0	250	0.8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40.0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0.9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70.0	250	0.8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75.0	300	0.6	0.3	84
전압	UN 1500V.DC 미국 2250V Ur 450V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0.9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0.66	0.7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0.95	0.7	26.4
4000	420	125	430	8	32.0	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40.0	250	0.8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40.0	250	0.9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64.0	300	0.6	0.3	84
전압	UN 2000V.DC 미국 3000V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0.95	0.7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0.72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0.72	0.5	39.2
2400	420	125	430	9	21.6	200	0.66	0.6	44.8
3200	340	235	350	10	32.0	250	0.8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40.0	280	0.7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2
전압	UN 2200V.DC 미국 3300V Ur 600V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
2000	420	235	245	12	24	150	0.9	0.740740741	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0.8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 3000V.DC 미국 4500V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
1050	420	235	245	20	21	150	0.9	0.740740741	40
1400	420	235	300	15	21	200	0.8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 4000V.DC 미국 6000V Ur 1000V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)최대	ESR(mΩ)	R번째(K/W)	무게(Kg)
600	420	235	245	20	12	150	0.9	0.740740741	40
800	420	235	300	20	16	200	0.8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0.7	0.535714286	58.4
전압	UN 2800V.DC 미국 4200V Ur 800V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60
전압	UN 3200V.DC 미국 4800V Ur 900V
Cn(μF)	폭(mm)	티(mm)	흠)	dv/dt(V/μS)	IP(KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR(mΩ) @1KHz	R번째(K/W)	무게(Kg)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0.5	95

제품 세부 사진:

관련 제품 가이드:

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