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알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC – CRE용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션

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알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션 – CRE 세부정보:

기술 데이터

정격 용량

CN 

1500μF±5%

정격전압

UN

3000V.DC

비반복성 서지 전압

Us

4500V

최대 전류

I최대 

250A

최대 피크 전류

Î

22.5KA

최대 서지 전류

Is

80KA

직렬저항

Rs 

0.35mΩ 이하

손실의 탄젠트

탠 껍질δ

0.002(100Hz)

손실 각도의 탄젠트

탠 껍질δ0

0.0002

자가 방전 시간 const.

C × Ris

10000S(100VDC 60S)

자기 인덕턴스

Le

≤50nH

내열성

Rth

0.7K/W

최저 작동 온도

È

-40°C

최대 작동 온도

È최대

70°C

보관온도

È저장

-40~85°C

서비스 수명(먹었다핫스팟)

100,000시간(70°C 이하)

실패 할당량

100핏

테스트 데이터

단자간 전압 테스트

Vtt

4500V.DC/10S

AC 전압 테스트 터미널/컨테이너

Vt-c

10000V.AC/60S

작동 고도

2000m(최대)

최대 토크

25Nm(최대)

무게

≒45kg

사양표

전압 UN 800V.DC 미국 1200V Ur 200V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
4000 340 125 190 5 20.0 120 1.1 0.9 17.6
8000 340 125 350 4 32.0 180 0.72 0.6 31.2
6000 420 125 245 5 30.0 150 0.95 0.7 26.4
10000 420 125 360 4 40.0 200 0.72 0.5 39.2
12000 420 235 245 4 48.0 250 0.9 0.3 49.6
20000 420 235 360 3 60.0 300 0.6 0.3 73.6
전압 UN 1200V.DC 미국 1800V Ur 300V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
2500 340 125 190 8 20.0 120 1.1 0.9 17.6
3300 340 125 245 8 26.4 150 0.95 0.7 22.4
5000 420 125 300 7 35.0 180 0.8 0.6 32.8
7500 420 125 430 5.5 41.3 200 0.66 0.6 44.8
5000 340 235 190 8 40.0 200 1.1 0.3 32.8
10000 340 235 350 6 60.0 250 0.8 0.3 58.4
5000 420 235 175 8 40.0 200 1 0.4 36
7500 420 235 245 7 52.5 250 0.9 0.3 49.6
10000 420 235 300 7 70.0 250 0.8 0.3 61.6
15000 420 235 430 5 75.0 300 0.6 0.3 84
전압 UN 1500V.DC 미국 2250V Ur 450V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
1200 340 125 190 10 12.0 120 1.1 0.9 17.6
3000 340 125 420 8 24.0 180 0.66 0.7 37.6
2000 420 125 245 10 20.0 150 0.95 0.7 26.4
4000 420 125 430 8 32.0 200 0.66 0.6 44.8
5000 340 235 350 8 40.0 250 0.8 0.3 58.4
4000 420 235 245 10 40.0 250 0.9 0.3 49.6
8000 420 235 430 8 64.0 300 0.6 0.3 84
전압 UN 2000V.DC 미국 3000V Ur 600V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
1000 340 125 245 12 12.0 150 0.95 0.7 22.4
1500 340 125 350 10 15.0 180 0.72 0.6 31.2
2000 420 125 360 10 20.0 200 0.72 0.5 39.2
2400 420 125 430 9 21.6 200 0.66 0.6 44.8
3200 340 235 350 10 32.0 250 0.8 0.3 46.4
4000 420 235 360 10 40.0 280 0.7 0.3 58.4
4800 420 235 430 9 43.2 300 0.6 0.3 67.2
전압 UN 2200V.DC 미국 3300V Ur 600V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
2000 420 235 245 12 24 150 0.9 0.740740741 40
2750 420 235 300 10 27.5 200 0.8 0.46875 49.6
3500 420 235 360 10 35 200 0.7 0.535714286 58.4
전압 UN 3000V.DC 미국 4500V Ur 800V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
1050 420 235 245 20 21 150 0.9 0.740740741 40
1400 420 235 300 15 21 200 0.8 0.46875 49.6
1800 420 235 360 15 27 200 0.7 0.535714286 58.4
전압 UN 4000V.DC 미국 6000V Ur 1000V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(A)최대 ESR(mΩ) R번째(K/W) 무게(Kg)
600 420 235 245 20 12 150 0.9 0.740740741 40
800 420 235 300 20 16 200 0.8 0.46875 49.6
1000 420 235 360 20 20 200 0.7 0.535714286 58.4
전압 UN 2800V.DC 미국 4200V Ur 800V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
2×1000 560 190 310 20 2×20 2×350 1 0.2 60
전압 UN 3200V.DC 미국 4800V Ur 900V
Cn(μF) 폭(mm) 티(mm) 흠) dv/dt(V/μS) IP(KA) Irms(에이)50℃@10KHz ESR(mΩ) @1KHz R번째(K/W) 무게(Kg)
2×1200 340 175 950 15 2×18 2×200 1.0 0.5 95

제품 세부 사진:

알루미늄 캔 커패시터용 OEM 공장 - 레일 트랙션 3000VDC용 맞춤형 건식 커패시터 솔루션 - CRE 상세 사진

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관련 제품 가이드:

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