IGBT 응용 분야용 저손실 유전체인 폴리프로필렌 필름 스너버 커패시터

간략한 설명:

CRE의 IGBT 스너버 커패시터 제품군은 ROHS 및 REACH 규정을 준수합니다.

1. UL94-VO 규격을 준수하는 플라스틱 외피와 에폭시 충진재를 사용하여 난연성을 확보했습니다.

2. 단말기 스타일 및 케이스 크기는 맞춤 제작이 가능합니다.

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제품 상세 정보

제품 태그

SMJ-P 시리즈

정격 전압 범위: 1000VDC ~ 2000VDC
정전 용량 범위: 0.1μF ~ 3.0μF
장착 간격: 22.5mm ~ 48mm
구조: 금속화 폴리프로필렌 유전체 내부 직렬 연결
적용 분야: IGBT 보호, 공진 탱크 회로

자가 복구형 건식 스너버 커패시터 소자는 특수 형상의 웨이브컷 금속화 PP 필름을 사용하여 제작되어 낮은 자체 인덕턴스, 높은 파단 저항성 및 뛰어난 신뢰성을 보장합니다. 과압 차단은 필요하지 않습니다. 커패시터 상단은 자체 소화성 친환경 에폭시로 밀봉되어 있습니다. 특수 설계로 매우 낮은 자체 인덕턴스를 구현했습니다.

사양표

전압	Un 700V.DC, Urms400Vac;Us1050V
	치수(mm)
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	이피크(A)	실효값(Irms) @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

전압	Un 1000V.DC, Urms500Vac;Us1500V
	치수(mm)
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

전압	Un 1200V.DC, Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

전압	Un 1700V.DC, Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

전압	Un 2000V.DC, Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

전압	Un 3000V.DC, Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	이피크(A)	이르름스
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28