IGBT용 폴리프로필렌 필름 스너버 커패시터의 저손실 유전체

폴리프로필렌 필름의 저손실 유전체 IGBT 애플리케이션용 스너버 커패시터 주요 이미지

간단한 설명:

IGBT 스너버 커패시터의 CRE 제품군은 ROHS 및 REACH를 준수합니다.

1. UL94-VO 규격의 플라스틱 외함과 에폭시 엔드필을 사용하여 난연성을 확보하였습니다.

2. 터미널 스타일과 케이스 크기를 사용자 정의할 수 있습니다.

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제품 상세 정보

제품 태그

SMJ-P 시리즈

정격 전압 범위: 1000VDC ~ 2000VDC
용량 범위: 0.1uf ~ 3.0uf
장착 피치: 22.5mm ~ 48mm
구조 : 금속화 폴리프로필렌 유전체 내부 직렬 연결
적용분야 : IGBT 보호, 공진탱크 회로

자가 치유 건식 스너버 커패시터 요소는 낮은 자체 인덕턴스, 높은 파열 저항 및 높은 신뢰성을 보장하는 특별히 프로파일링된 웨이브 컷 금속화 PP 필름을 사용하여 생산됩니다.과압 분리는 필요하지 않은 것으로 간주됩니다.커패시터 상단은 자기소화성 친환경 에폭시로 밀봉되어 있습니다.특수 설계로 매우 낮은 자체 인덕턴스를 보장합니다.

사양표

전압	유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR @100KHz(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

전압	유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
	치수(mm)
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815년	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750년	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974년	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

전압	UN 1200V.DC,Urms550Vac,Us1800V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750년	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815년	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750년	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974년	32

전압	유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980년	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750년	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

전압	유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

전압	유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
Cn(μF)	엘(±1)	티(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28