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IGBT용 폴리프로필렌 필름 스너버 커패시터의 저손실 유전체

간단한 설명:

IGBT 스너버 커패시터의 CRE 제품군은 ROHS 및 REACH를 준수합니다.

1. UL94-VO 규격의 플라스틱 외함과 에폭시 엔드필을 사용하여 난연성을 확보하였습니다.

2. 터미널 스타일과 케이스 크기를 사용자 정의할 수 있습니다.

 


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  • 제품 상세 정보

    제품 태그

    SMJ-P 시리즈

    정격 전압 범위: 1000VDC ~ 2000VDC
    정전 용량 범위: 0.1uf ~ 3.0uf
    장착 피치: 22.5mm ~ 48mm
    구조 : 금속화 폴리프로필렌 유전체 내부 직렬 연결
    적용 분야 : IGBT 보호, 공진 탱크 회로

    자가 치유 건식 스너버 커패시터 요소는 낮은 자체 인덕턴스, 높은 파열 저항 및 높은 신뢰성을 보장하는 특별히 프로파일링된 웨이브 컷 금속화 PP 필름을 사용하여 생산됩니다.과압 분리는 필요하지 않은 것으로 간주됩니다.커패시터 상단은 자기소화성 친환경 에폭시로 밀봉되어 있습니다.특수 설계로 매우 낮은 자체 인덕턴스를 보장합니다.

    IMG_0397.HEIC

    사양표

    전압 유엔 700V.DC, Urms400Vac, Us1050V
    치수(mm)
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR @100KHz(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
    0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
    0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
    1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
    1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
    2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
    2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
    3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
    3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
    3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
    5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
    6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
    6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
    8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
    전압 유엔 1000V.DC, Urms500Vac, Us1500V
    치수(mm)
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
    0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
    1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
    2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
    3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815년 25
    3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750년 25
    4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
    4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974년 30
    5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
    전압 UN 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
    1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
    2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750년 25
    3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
    3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815년 28
    3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750년 28
    4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
    4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974년 32
    전압 유엔 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
    0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
    1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
    1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
    2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
    3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980년 28
    3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750년 30
    4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
    전압 유엔 2000V.DC, Urms700Vac, Us3000V
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
    0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
    0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
    0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
    0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
    0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
    2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
    전압 유엔 3000V.DC, Urms750Vac, Us4500V
    Cn(μF) 엘(±1) 티(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
    0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
    0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
    0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
    0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
    0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

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